CVD金刚石膜的结构分析

摘要：

利用x射线广角衍射和低角掠入射散射谱、正电子湮没谱、定性分析软件和Positronfit程序,研究了生长在Si(100)基底上的金刚石膜微结构.研究发现,在样品邻近基底区域为纳米多晶结构,具有弱的[111]织构;在邻近表面区域为微米多晶结构,具有强的[220]织构.金刚石膜样品有空位、空位团和空洞3种缺陷,其中主要缺陷是大约10个空位形成的空位团.

关键词：金刚石膜、化学气相沉积、x射线掠入射、正电子湮没谱

所属期刊栏目：52

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1479-1483