10.3321/j.issn:1000-3290.2003.06.030
Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究
采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层GdxSi1-x表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着半导体的属性,磁性-非磁性p-n结具有整流特性,但没有观察到明显的磁电阻效应.
磁性半导体、磁性p-n结、钆的硅化物、离子束外延
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O4(物理学)
国家重点基础研究发展计划973计划G20000365,G20000683;国家自然科学基金60176001
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1469-1473