Cu-MgF2复合纳米金属陶瓷薄膜的电导特性研究

摘要：

用射频磁控共溅射法制备了Cu体积分数分别为10%,15%,20%和30%的Cu-MgF2复合金属陶瓷薄膜.用x射线衍射、x射线光电子能谱和变温四引线技术对薄膜的微结构、组分及电导特性进行了测试分析.微结构分析表明:制备的Cu-MgF2复合薄膜由fcc-Cu晶态纳米微粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2陶瓷基体中构成,Cu晶粒的平均晶粒尺寸随组分增加从11.9nm增至17.8nm.50-300K温度范围内的电导测试结果表明:当Cu体积分数qM由15%增加到20%时,Cu-MgF2复合薄膜的电阻减小了8个量级,得出制备的复合薄膜渗透阈qCM应处于15%和20%之间.qM在10%和15%之间的薄膜呈介质导电状态,而在20%和30%之间的薄膜则呈金属导电状态.从理论上讨论了复合薄膜中杂质电导和本征电导的激活能及其对电导的贡献,并讨论了Cu-MgF2复合纳米金属陶瓷薄膜的渗透阈,得到了和实验一致的结果.

关键词：Cu-MgF2复合纳米金属陶瓷膜、微结构、组分、电导特性、激活能、渗透阈

所属期刊栏目：52

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金59972001;安徽省自然科学基金01044901

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1455-1460