10.3321/j.issn:1000-3290.2003.06.020
Kerr非线性对一维光子晶体能带的影响
研究Kerr非线性对一维光子晶体的能带的影响.光子晶体中加入Kerr非线性材料后,光子晶体的带边可随局部光强调制.由于带边随光强变化,线性光量子阱中的电磁本征模将进入线性带隙的频率范围而形成孤子类电磁模.由于非线性的作用,带隙中有许多新的孤子模出现.
光子晶体、Kerr非线性、带隙孤子
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O4(物理学)
国家自然科学基金60268001;教育部高校骨干教师资助计划1963;国家高技术研究发展计划863计划863-416-1-10-5
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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