利用场发射显微镜研究O2对单壁碳纳米管场发射的影响

摘要：

利用场发射显微镜和四极质谱计研究了充入高纯O2的四极质谱和O2对单壁碳纳米管场发射的影响.单壁碳纳米管经过约1000℃的热处理得到清洁态场发射像后,充入O2,分别测量了O2吸附和脱附后场发射的I-V特性.实验观测到在单壁碳纳米管上O2的吸附使场发射电流减小,说明逸出功增加.在10-4Pa的O2压强下对单壁碳纳米管进行约1000℃的热处理,可以产生氧化刻蚀作用,观测到场发射像的变化,并测量了氧化刻蚀产生的I-V特性变化.

关键词：单壁碳纳米管、场发射显微镜、场发射、四极质谱

所属期刊栏目：52

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60231010,90206048,60171025,60128101;国家重点基础研究发展计划973计划2001CB610503;高等学校博士学科点专项科研项目20020001003;教育部留学回国人员科研启动基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1282-1286