氮化铝单晶薄膜的ECR-PEMOCVD低温生长研究

摘要：

采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在c轴取向的蓝宝石即α-Al2O3(0001)衬底上,以氮化镓(GaN)缓冲层和外延层作为初始层,分别以高纯氮气(N2)和三甲基铝(TMAl)为氮源和铝源低温生长氮化铝(AlN)薄膜.并利用反射高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和x射线衍射(XRD)等测量结果,研究了氢等离子体清洗、氮化和GaN初始层对六方AlN外延层质量的影响,从而获得解理性与α-Al2O3衬底一致的六方相AlN单晶薄膜,其XRD半高宽为12弧分.

关键词：AlN、氢等离子体清洗、氮化、GaN

所属期刊栏目：52

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金69976008

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1240-1244