AlGaAs/InGaAs/GaAs赝配高电子迁移晶体管的kink效应研究

摘要：

利用二维器件模拟软件MEDICI对AlGaAs/InGaAs/GaAs赝配高电子迁移晶体管器(PHEMT)件进行了仿真,研究了PHEMT器件的掺杂浓度与电子浓度分布,PHEMT器件内部的电流走向及传输特性,重点研究了不同温度和不同势垒层浓度情况下PHEMT器件的kink效应.研究结果表明:kink效应主要与处于高层深能级中的陷阱俘获/反俘获过程有关,而不是只与碰撞电离有关.

关键词：高电子迁移率晶体管、kink效应、二维电子气

所属期刊栏目：52

分类号：O4(物理学)

资助基金：国防预研基金OOJ8.4.3DZ01

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：984-988