硅衬底上Zn1-xMgxO薄膜的结构与光学性质

摘要：

采用脉冲激光法(PLD)在Si衬底上沉积Zn1-xMgxO薄膜.x射线衍射(XRD)表明薄膜为c轴取向,(002)峰的半高宽仅为0.211°,且没有MgO的相偏析.透射电子显微镜可以清楚看到Zn1-xMgxO薄膜的c轴择优取向.在选区电子衍射图中可以看到Zn1-xMgxO结晶薄膜整齐的衍射斑点.室温下对Zn1-xMgxO薄膜进行了光致荧光光谱分析,发现其带边发射峰相对ZnO晶体有0.4eV的蓝移,带边发射峰与杂质发射峰的强度之比高达159.Zn1-xMgxO结晶薄膜质量良好,显示了应用于光电器件的潜力.

关键词：Zn1-xMgxO合金薄膜、硅衬底、脉冲激光沉积法、c轴取向、光致荧光光谱

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000068306

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：935-938