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10.3321/j.issn:1000-3290.2003.02.047

双层锰氧化物薄膜的制备及其物理性质

引用
用脉冲激光沉积(PLD)方法成功地制备了双层钙钛矿结构的La2-2xSr1+2xMn2O7(x=0.32)单相薄膜.这种薄膜生长在具有不同晶格参数的两种衬底上.测量发现,两种衬底上生长的La2-2xSr1+2xMn2O7(x=0.32)薄膜具有迥然不同的金属-绝缘体转变温度TM-I及其他物性.界面应力的研究表明这是衬底晶格常数不同引起膜内应变的结果.在衬底的压应力下,薄膜的电阻-温度曲线的峰值(TM-I)向高温移动且电阻率(ρ)下降;相反,对于衬底张应力下的薄膜,TM-I下降ρ上升.这些结果可以用双交换模型做很好的解释.

CMR、双层锰氧化物薄膜、PLD、应力

52

O4(物理学)

云南省科研项目1999E0003Z

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

498-502

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1000-3290

11-1958/O4

52

2003,52(2)

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