衬底对化学气相沉积法制备氧化硅纳米线的影响

摘要：

通过化学气相沉积法在不同衬底上制备了大量的氧化硅纳米线.选用衬底为Si片、带有约100nm厚SiO2氧化层Si片和石英片.利用场发射扫描电子显微镜(SEM)和透射电镜(TEM,配备有能谱仪)对样品的表面形貌、结构和成分进行研究.结果表明:这些纳米线都为非晶态,但在不同衬底上生长的纳米线形貌、尺寸和化学成分不同.讨论了各种衬底对不同特征氧化硅纳米线生长的影响.

关键词：化学气相沉积、纳米线、纳米颗粒

所属期刊栏目：52

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金19834080

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：454-458