10.3321/j.issn:1000-3290.2003.02.011
SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型
针对4H-SiC射频大功率MESFET,建立了一个解析的陷阱效应模型,该模型采用简化参数描述方法,并结合自热效应分析,从理论上完善了SiC MESFET大信号直流I-V特性的解析模型,且避免了数值方法模拟陷阱效应的巨大计算量.
碳化硅、陷阱效应、金属-半导体场效应晶体管、深能级陷阱、界面态
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O4(物理学)
国防科技预研基金8.1.7.3
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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