玻璃中CdSeS纳米晶体的生长及其性能

摘要：

对掺有镉、硒、硫的玻璃在500-800℃退火2-24h,生长了不同尺寸的CdSxSe1-x纳米晶体.用分光光度计和光致发光光谱(PL)分析了纳米晶体的性能.退火温度低于550℃,纳米晶体处于成核阶段, 600-625℃处于正常扩散生长阶段, 700-800℃处于竞争生长阶段;而650℃处于两种生长阶段之间.虽然650℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸.在所有样品中出现了深能级缺陷,在650℃退火时间小于4h或大于16h有利于减少深能级缺陷的密度.

关键词：纳米晶体、生长机理、深能级缺陷

所属期刊栏目：51

分类号：O4(物理学)

资助基金：中国科学院资助项目29890217;北京师范大学校科研和教改项目10110197

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2892-2895