GaAs被动调Q兼输出耦合Nd∶YVO4激光特性研究

摘要：

利用可饱和吸收半导体GaAs作为被动调Q元件和F-P输出耦合镜,实现了半导体激光器(LD)抽运Nd:YVO4激光调Q运转,获得脉宽度为47ns,重复频率为1183kHz,平均功率为430 mW,光束质量为M2=1.13的TEM00激光基横模输出,调Q抽运阈值为1700mW.并数值求解了含有GaAs被动调Q兼输出耦合的速率方程,分析了GaAs被动调Q机理以及脉宽宽度、重复频率、平均功率随抽运速率、腔长的变化关系,理论与实验结果相一致.为多功能综合型微型调Q固体激光器提供了简单有效的方法.

关键词：被动调Q、输出耦合、GaAs

所属期刊栏目：51

分类号：O4(物理学)

资助基金：国防重点实验室基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2756-2760