氟化非晶碳薄膜的光学带隙分析

摘要：

研究了CHF3/C6H6沉积的氟化非晶碳(α-C∶F)薄膜的光学带隙.发现α-C∶F薄膜光学带隙的大小取决于薄膜中C-F,CC的相对含量.这是由于CC形成的窄带隙π键和C-F形成的宽带隙σ键含量的相对变化,改变了带边态密度分布的结果.在微波功率为140-700 W、沉积气压为0.1-1.0 Pa、源气体CHF3∶C6H6流量比为1∶1-10∶1条件下沉积的α-C∶F薄膜,光学带隙在1.76-3.98 eV之间.

关键词：氟化非晶碳(α-C∶F)薄膜、光学带隙、键结构

所属期刊栏目：51

分类号：O4(物理学)

资助基金：江苏省重点实验室基金KJS01012;国家自然科学基金10175048

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2640-2643