中子辐照直拉硅中的本征吸除效应

摘要：

对经中子辐照的直拉硅中的本征吸除效应进行了研究.结果表明:经中子辐照后,直拉硅片经一步短时退火就可以在硅片表面形成完整的清洁区.清洁区宽度受辐照剂量和退火温度所控制,清洁区一旦形成,就不随退火时间变化.大量的缺陷在中子辐照时产生,并同硅中氧相互作用,加速了硅片体内氧的沉淀,是快速形成本征吸除效果的主要因素,从而把热历史的影响降到次要地位.

关键词：本征吸除、中子辐照、直拉硅

所属期刊栏目：51

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金50032010;河北省自然科学基金;天津市自然科学基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2407-2410