10.3321/j.issn:1000-3290.2002.10.028
浮栅ROM器件x射线剂量增强效应实验研究
给出了浮栅ROM器件在钴源和北京同步辐射装置(BSRF)3W1白光束线辐照的实验结果;比较了两种辐照的实验结果及其损伤异同性.通过实验在线测得位错误数随总剂量的变化,给出相同累积剂量时x射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.获得了浮栅ROM器件x射线剂量增强因子.这些结果对器件抗x射线辐射加固技术研究有重要价值.
EEPROM、x射线、剂量增强剂量效应、同步辐射
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O4(物理学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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