超薄晶体膜生长过程的计算机模拟

摘要：

建立一种新模型,模拟超薄晶体膜生长过程.通过引入网格和俘获截面的概念来归一化处理错综复杂的原子间相互作用,研究了扩散、衬底温度等因素对Ge/Si超薄晶体膜生长形式的影响.

关键词：晶体膜、模型、模拟

所属期刊栏目：51

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2109-2112