半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合
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10.3321/j.issn:1000-3290.2002.09.026

半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合

引用
采用传输矩阵方法利用半经典的线性色散模型,计算半导体微腔内同时存在重空穴激子、轻空穴激子时,在不同入射角度下的反射谱,同时,利用三简谐振子耦合模型计算了在不同入射角度下,腔模同时和重空穴激子模、轻空穴激子模耦合所形成的三支腔极化激元的能量,以及腔模、重空穴激子模、轻空穴激子模分别在三支腔极化激元中所占的权重,结果表明随着入射角的增加腔极化激元的高能支和两个低能支之间存在明显的反交叉现象,同时,腔模和重空穴激子模、轻空穴激子模在腔极化激元中所占的权重呈现增加或减小的趋势.

半导体微腔、腔极化激元、激子

51

TN3(半导体技术)

国家自然科学基金69896260,69937010

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

2052-2056

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1000-3290

11-1958/O4

51

2002,51(9)

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