InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究

摘要：

分析研究了GaAs/InAs自组装量子点的电输运性质,通过对实验数据的分析,讨论了Schottky势垒对InAs量子点器件的影响和I-V曲线中迟滞回路以及电导曲线中台阶结构产生的原因.迟滞回路和台阶的出现与电场中量子点的充放电过程相关:迟滞回路反映了量子点充电后对载流子的库仑作用,而电导台阶则反映了量子点因共振隧穿的放电现象.

关键词：迟滞现象、自组装量子点、共振隧穿

所属期刊栏目：51

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金69925410,199904015

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1355-1359