在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格

摘要：

利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111)-(7×7)表面上的自组织生长.通过控制Ge的沉积量,在Si(111)-(7×7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格.构成超晶格的Ge团簇均位于(7×7)亚单胞的位置上,而且它们的形状和大小基本保持一致.文中对这种自组织结构的形成机理进行了讨论.

关键词：扫描隧道显微镜(STM)、Si(111)-(7×7)表面、二维Ge团簇超晶格

所属期刊栏目：51

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金6977001

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1017-1021