10.3321/j.issn:1000-3290.2002.04.039
射频溅射FeTaN纳米晶软磁薄膜结构和磁性
用射频反应溅射制备了FeTaN纳米晶软磁薄膜.研究了薄膜结构和磁性与制备条件的依赖关系.研究发现,当Ta的含量较高时,在N2+Ar混合气氛中易形成沉积态薄膜的非晶结构.适当的热处理后,α-Fe纳米晶从中晶化生成.薄膜显示出优良的软磁特性.
纳米晶、软磁性、非晶态
51
O4(物理学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
908-912
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10.3321/j.issn:1000-3290.2002.04.039
纳米晶、软磁性、非晶态
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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