10.3321/j.issn:1000-3290.2002.04.030
非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析
在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相, 非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象;退火温度为550℃时,大部分(约80%)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm;退火温度为600℃时,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅,其平均晶粒尺寸约为1.5μm.
固相晶化、多晶硅薄膜、非晶硅薄膜
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O4(物理学)
国家重点基础研究发展计划973计划G2000028208
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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