10.3321/j.issn:1000-3290.2002.04.013
界面态电荷对6H碳化硅N沟MOSFET阈值电压和跨导的影响
针对界面态密度在禁带中的不均匀分布,并且考虑到碳化硅材料中杂质的不完全离化,分析了界面态电荷对N沟6H碳化硅MOSFET阈值电压和跨导的影响。结果显示界面态密度的不均匀分布不仅使阈值电压增大,而且还会导致器件跨导变低,它是影响SiC MOSFET 特性的一个重要因素。
碳化硅、界面态、阈值电压、跨导
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O4(物理学)
国防科技预研基金00J11.2.1.DZ01
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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