离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究

摘要：

采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAs/AlGaAs非对称耦合量子阱单元,通过光致荧光谱测量,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应.荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心.

关键词：量子阱、离子注入、光致荧光谱、界面混合

所属期刊栏目：51

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金10074068;国家重点基础研究发展计划973计划G1998061404

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：659-662