直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜

摘要：

用MgB2靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO3衬底上原位一次性得到了MgB2超导薄膜,其起始转变温度为32K,零电阻温度为15K.

关键词：高温超导体、超导薄膜、磁控溅射、二硼化镁

所属期刊栏目：51

分类号：O4(物理学)

资助基金：高比容电子铝箔的研究开发与应用项目863-CD050101;科技部科研项目G1999064609;G1999064607

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：406-409