分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别

摘要：

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的high electron mobility transistors (HEMT)和Pseudomorphic high electron mobility transistors(P|HEMT)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和P|HEMT结构的n|AlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3)和俘获截面(10-16cm2)的近禁带中部电子陷阱.它们可能与AlGaAs层的氧含量有关.同时还观察到P|HEMT结构晶格不匹配的AlGaAs InGaAs GaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具.

关键词：分子束外延生长、高电子迁移率超高速微结构功能材料、深中心

所属期刊栏目：51

分类号：TB3(工程材料学)

资助基金：科技部科研项目G20000683;香港科技大学校科研和教改项目HKUST6135 97P

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：372-376