快速热处理对应变InGaAs GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响

摘要：

研究分子束外延(MBE)生长的应变In0.2Ga0.8As GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应.结果表明,RTA移除了InGaAs GaAs界面非辐射中心,提高77K光致发光效率和有源层电子发射.同时Al和Ga原子互扩散,也增加了AlGaAs波导层DX中心浓度.RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加.这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之一.

关键词：量子阱、快速热处理、电子发射、DX中心

所属期刊栏目：51

分类号：TN(无线电电子学、电信技术)

资助基金：中国科学院资助项目60076008;科技部科研项目G20000683;香港科技大学校科研和教改项目HKUST6135 97P

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：367-371