常压和高压合成MgB2的低温比热及两个超导能隙研究
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10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.026

常压和高压合成MgB2的低温比热及两个超导能隙研究

引用
测量了常压和高压合成MgB2超导样品6K-80K的比热,并在数据拟合中考虑了爱因斯坦振动模的贡献,得到其电子比热数据.解释了超声测量得到的德拜温度和低温比热拟合结果之间的巨大差异.并且在12K附近观察到了异常的电子比热,此异常来源于MgB2的第二个能隙.此外,对高压和常压合成对样品的影响做了初步分析.

低温比热、MgB2、能隙

51

O4(物理学)

中国科学院资助项目19825111

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

342-346

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1000-3290

11-1958/O4

51

2002,51(2)

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