4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析

摘要：

采用载流子速度饱和理论,建立了包含"自热效应"影响的适用于4H-SiC MESFET的大信号输出I-V特性解析模型,在模型中引入了温度变化的因素,提出了非恒定衬底环境温度T0的热传导模型,模拟结果与实验值一致,证明基于这种模型的理论分析符合器件测试及应用的实际情况.

关键词：4H-SiC、射频、MESFET、直流I-V特性、自热效应

所属期刊栏目：51

分类号：O4(物理学)

资助基金：国防预研基金8.1.7.3

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：148-152