稳态、瞬态X射线辐照引起的互补性金属-氧化物-半导体器件剂量增强效应研究

摘要：

重点开展了稳态、瞬态X射线辐照引起的金属-氧化物-半导体(CMOS)器件剂量增强效应relative dose enhance ment effect(RDEF)研究.通过实验给出辐照敏感参数随总剂量的变化关系,旨在建立CMOS器件相同累积剂量时X射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.在脉冲X射线源dense plasma focus(DPF)装置上,采用双层膜结构开展瞬态翻转增强效应研究,获得了瞬态翻转剂量增强因子.这些方法为器件抗X射线辐照加固技术研究提供了实验技术手段.

关键词：X射线、剂量增强因子、总剂量效应、剂量率效应

所属期刊栏目：50

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2279-2283