脉冲直流偏压增强的高质量立方氮化硼薄膜的合成

摘要：

采用磁增强活性反应离子镀系统成功地合成了立方氮化硼薄膜.通过给基片施加脉冲直流偏压以代替传统的射频偏压,增强了立方氮化硼的成膜稳定性,研究了基片的直流脉冲偏压、等离子体放电电流、通入气体流量比(Ar/N2)和基片温度沉积参数对立方氮化硼薄膜形成的影响规律.结果表明:随着基片负偏压和放电电流的增大,薄膜中立方氮化硼的纯度提高,当基片负偏压为155V,放电电流为15A时,可获得几乎单相的立方氮化硼薄膜.基片温度为5500℃和Ar/N2流量比为10时,最有利于立方氮化硼的形成.偏离这个值,都会促进薄膜中非立方相的形成.

关键词：立方氮化硼、活性反应离子镀、脉冲偏压

所属期刊栏目：50

分类号：TB3(工程材料学)

资助基金：韩国STEPI计划06-01-45

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2258-2262