应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性研究

摘要：

分别研究了FN隧穿应力和热空穴 (HH) 应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性.在这两种应力条件下,应力导致的漏电流(SILC)与时间的关系均服从幂函数关系,但是二者的幂指数不同.热空穴应力导致的漏电流中,幂指数明显偏离-1,热空穴应力导致的漏电流具有更加显著的瞬态特性.研究结果表明:热空穴SILC机制是由于氧化层空穴的退陷阱效应和正电荷辅助遂穿中心的湮没.利用热电子注入技术,正电荷辅助隧穿电流可被大大地减弱.

关键词：薄栅氧化层、应力导致的漏电流(SILC)、FN隧穿、热空穴应力、衬底热电子

所属期刊栏目：50

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划863-SOC-Y-3-6-1

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1769-1773