10.3321/j.issn:1000-3290.2001.08.034
MOS结构中薄栅氧化层高场退火效应的研究
深入研究了MOS结构中薄栅氧化层在高电场下的退火效应,对氧化层陷阱电荷的退陷阱机理进行了深入探讨.通过实验和模拟对氧化层陷阱电荷的退陷阱机理和生长机理进行了比较,给出了满意的物理解释.负栅压退火和正栅压退火的比较表明负栅压退火更为有效.
MOS结构、薄栅氧化层、高场退火、退陷阱
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O4(物理学)
国防科技预研基金8.5.3.4
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1585-1589