10.3321/j.issn:1000-3290.2001.06.031
CdSe/CdMnSe多量子阱的激子光学性质的研究
用分子束外延在GaAs衬底上生长了CdSe/CdMnSe多量子阱结构.利用X射线衍射(XRD)、变密度激发的PL光谱、变温度PL光谱和变密度激发的ps时间分辨光谱研究了CdSe/CdMnSe多量子阱结构和激子复合特性.讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理.发现不同激发密度下发光衰减时间不同,认为它的机理可能是无辐射复合引起的.在该材料中观测到激子-激子散射发射峰,它被变密度激发和变温度PL光谱所证实.
CdSe/CdMnSe、量子阱、光学性质
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O43(光学)
国家自然科学基金;高等院校骨干教师基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
1167-1171