Au/PZT/BIT/p-Si异质结的制备与性能研究

摘要：

采用脉冲激光沉积(PLD)工艺，制备了以Bi4Ti3O12(B IT)为过渡阻挡层的Au/PZT/BIT/p-Si异质结. 研究了BIT铁电层对Pb(Zr0.52Ti0 .48)O3(PZT)薄膜晶相结构、铁电及介电性能的影响，对Au/PZT/BIT/p-Si异质结的导 电机制进行了讨论. 氧气氛530℃淀积的PZT为多晶铁电薄膜，与直接淀积在Si基片上相比， 加入BIT铁电层后PZT铁电薄膜的(110)取向更加明显；在铁电层总厚度均为400?nm的情况下 ， PZT/BIT双层铁电薄膜比PZT单层铁电薄膜具有更大的剩余极化和更低的矫顽场；观察到顺时 针回滞的C-V特性曲线，表明铁电极化控制了硅的表面势，薄膜呈现极化开关的特性； I-V 特性曲线表明异质结具有明显的单向导电性，并证实异质结在弱场下导电遵循欧姆定律，强 场下以空间电荷限制电流(SCLC)为主；异质结具有较好的疲劳特性，109次极化反转后其 剩余极化仍达到初始值的90%.

关键词：铁电薄膜、异质结构、脉冲激光沉积(PLD)

所属期刊栏目：50

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金69771024

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：981-985