Si3N4/Si表面Si生长过程的扫描隧道显微镜研究

摘要：

利用原位扫描隧道显微镜和低能电子衍射分析了Si的纳米颗粒在Si3N4/Si(111)和Si3N4/Si(100)表面生长过程的结构演变。在生长早期T为350—1075K范围内，Si在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇，这些团簇的大小均在几个纳米范围内，并且在高温退火时保持相当稳定的形状而不相互融合。当生长继续时，Si晶体小面开始显现。在晶态的Si3N4(0001)/Si(111)表面，Si的(111)小面生长比其他方向优先，生长方向与衬底Si(111)方向一致。最后在大范围内形成以(111)为主的晶面。相反，在非晶的Si3N4表面，即Si3N4/Si(100)，Si晶体的生长呈现完全随机的方向性，低指数面如(111)和(100)面共存，但它们并不占据主导地位，大部分暴露的小面是高指数面如(113)面。对表面生长过程进行了探讨并给出了合理的物理解释。

关键词：氮化硅、扫描隧道显微镜、纳米颗粒

所属期刊栏目：50

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金19974036;香港SAR科研项目HKUST6127/97P,HKUST6154/99P

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：517-522