10.3321/j.issn:1000-3290.2001.03.016
基于VO2薄膜非致冷红外探测器光电响应研究
VO2薄膜是非致冷微测辐射热红外探测器热敏电阻材料。研究中应用微电子工艺制备了VO2溅射薄膜红外探测器,在296K的环境中测试了该探测器在不同的直流偏置、光调制频率下对873K标准黑体源8—12μm红外辐射的光电响应以及器件的噪声电压,在10和30Hz的调制频率下其响应率分别大于17kV/W和接近10kV/W。该探测器实现了探测率D*大于1.0×108cm Hz/W,热时间常量为0.011s的8-12μm非致冷红外探测。
非致冷测辐射热探测器、红外探测器、二氧化钒、薄膜
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O4(物理学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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