有机单体3-phenyl-1-ureidonitrile薄膜的超高密度信息存储

摘要：

采用扫描隧道显微镜(STM)在3-phenyl-1-ureidonitrile (PUN)有机单体薄膜上进行了超高密度信息存储的研究.通过在STM针尖和高定向裂解石墨(HOPG)衬底之间施加一系列的电压脉冲，在薄膜上写入了一个稳定的5×6信息点阵，信息点的大小是0.8?nm.电流-电压(I-V)曲线表明，施加电压脉冲前后薄膜的导电性质发生了变化.信息点的写入机制可能是强电场作用下引发的PUN分子的局域聚合，从而导致薄膜由高电阻态向低电阻态转变.

关键词：超高密度信息存储、有机薄膜、扫描隧道显微镜(STM)

所属期刊栏目：50

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金69890223

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：361-364