10.3321/j.issn:1000-3290.2001.02.019
Si基Si3N4/SiO2双层膜驻极体的电荷储存与输运
利用等温表面电位衰减及热刺激放电(thermally stimulated discharge,TSD)方法探讨了恒栅压电晕充电经常压化学气相沉积(APCVD)的Si基Si3N4和热生长SiO2双层薄膜驻极体电荷的存储特性.结果表明:在常温环境中,300℃高温下,以及95%相对湿度时的60℃条件下,所有试样表现出极好的电荷储存稳定性.对于负电晕充电试样,其电荷输运受慢再捕获效应(slow retrapping effect)控制;用热离子发射模型来描述了正电晕充电Si3N4/SiO2驻极体的正电荷输运特性.
驻极体、薄膜、电荷储存、热离子发射
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O4(物理学)
国家自然科学基金59682003;中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
293-298