10.3321/j.issn:1000-3290.2001.02.015
包含键环境修正的硅氢紧束缚势模型
在已有的硅势模型基础上,引进氢原子,计及Si-H键环境的影响,构造出新的硅氢紧束缚势模型.通过测试计算,这一新的硅氢势模型显示出较好的传递性,可适宜于研究复杂的硅氢体系.
紧束缚势模型、半导体、缺陷
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O4(物理学)
教育部留学回国人员科研启动基金;中国科学院留学基金;中国科学院科研项目;国家自然科学基金69876035
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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