InAs自组装量子点GaAs肖特基二极管中的电流输运特性

摘要：

设计了含有InAs自组装量子点(SAQDs)的新型金属-半导体-金属隧穿结构，研究了其直流输运特性，观察到了电流迟滞回路现象.这种回路现象是由于紧邻金属肖特基接触的量子点充电和放电引起的，也可以说是由外加电压控制的量子点的单电子过程引起的.分析了量子点总体的充放电特性，量子点中电子在高电场下隧穿出量子点的概率变化决定了量子点的放电过程，而充电过程是由流过量子点层的二极管正向电流决定.理论拟合结果显示充电过程主要由于量子点基态能级俘获电子照成的，激发态对量子点充放电过程只有微弱影响.

关键词：迟滞现象、自组装量子点、单电子过程

所属期刊栏目：50

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金69925410,19904015

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：262-267