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10.3321/j.issn:1000-3290.2001.02.013

在Si(111)上用有机溶胶-凝胶甩膜热解法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜

引用
在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶-凝胶甩膜并经950℃真空(10-3 Pa)热解处理法,制备出晶态SiC薄膜.用FTIR,XRD,TEM,Raman XPS等方法研究了SiC薄膜的晶体结构、微结构、组成以及各元素的化学态等性质.结果表明制得的是沿(0001)高度择优取向的晶态6H-SiC薄膜.膜中SiC晶粒沿c轴柱状生长,其最大尺寸约150 nm,膜厚约为0.3 μm,SiC中的Si/C比约为1.表层有少许污染C(CH和CO)和少量O(Si2O3,CO态氧和吸附氧).从对比实验可知,在热解时将甩膜的Si片与另一空白Si片面面相贴可明显增加SiC的生成量.

碳化硅、薄膜、溶胶凝胶

50

O4(物理学)

国家自然科学基金59774012

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

256-261

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物理学报

1000-3290

11-1958/O4

50

2001,50(2)

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