不同组分InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响

摘要：

研究了不同In组分的InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的结构及发光特性的影响.透射电子显微镜和原子力显微镜表明,InAs量子点在InGaAs做盖层时所受应力较GaAs盖层时有所减小,并且x＝0.3时,InGaAs在InAs量子点上继续成岛.随x值的增大,量子点的光荧光峰红移,但随温度的变化发光峰峰位变化不明显.理论分析表明InAs量子点所受应力及其均匀性的变化分别是导致上述现象的主要原因.

关键词：量子点、盖层、应力、红移

所属期刊栏目：49

分类号：O4(物理学)

资助基金：科技部攀登计划19823001;中国科学院资助项目69776016

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2230-2234