Cu掺杂对Kondo绝缘体CeNiSn低温比热的影响

摘要：

CeNiSn是一种很有趣的重费米子化合物,其基态为Kondo绝缘体.采用化学元素替代的方法研究Cu掺杂对CeNiSn多晶样品低温比热的影响.在流动高纯氩气的保护下,用电弧炉制备了一系列的多晶样品CeNi1-xCuxSn(x＝0,0.02,0.06,0.08).X射线粉末衍射分析表明,制备出来的样品均为单相多晶.随着Cu掺杂量的增加,样品的晶格参数增大.采用绝热热脉冲法测量样品的比热,结果表明随着Cu掺入量的增加,相应样品的低温比热也随之增大,能隙逐渐减小.其物理机制在于,铜替代镍引起Kondo格子的无序和3d电子数的增加.

关键词：重费米子、Kondo绝缘体、CeNiSn、比热、反铁磁有序

所属期刊栏目：49

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2109-2112