光照下高电子迁移率晶体管特性分析

摘要：

以光照下耗尽型AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管为例,考虑了光生载流子对半导体内电荷密度的影响和光压效应,采用器件的电荷控制模型,分析了光照对器件夹断电压、二维电子气浓度、I-V特性以及跨导的影响.与无光照的情况相比较,夹断电压变小,二维电子气浓度增大,从而提高了器件的电流增益,增大了跨导.

关键词：高电子迁移率晶体管、光压、电荷控制模型、二维电子气

所属期刊栏目：49

分类号：O4(物理学)

资助基金：中国科学院资助项目69671013

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1394-1399