传输线模型测量Au/Ti/p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率

摘要：

采用传输线模型测量了重B掺杂p型金刚石薄膜(约1020cm-3)上Ti/Au欧姆接触电阻率ρc,测试了500℃退火前后及大电流情况下的I-V特性,研究了退火对ρc的影响.结果表明,重掺杂和退火工艺是改善欧姆接触的有效手段.ρc随测试温度的变化表明金属/半导体接触界面载流子输运机制为隧道穿透.而光照对ρc影响的分析表明金刚石可作为理想窗口材料.测试得到的最低ρc值约为10-4Ωcm2.

关键词：金刚石薄膜、欧姆接触、接触电阻率

所属期刊栏目：49

分类号：O4(物理学)

资助基金：中国科学院资助项目69676005

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1348-1351