金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应

摘要：

研究了金属-氧化物-半导体(MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应.采用加固的CC4007进行辐照实验,在不同温度、不同偏压,以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比较,发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快慢.高温下辐照的器件,界面态建立的时间缩短.根据实验结果对器件阈值电压漂移的机理进行了探讨.

关键词：金属-氧化物-半导体场效应、辐射效应、阈值电压漂移

所属期刊栏目：49

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1331-1334