非晶Si/SiO-2超晶格的制备及其光谱研究

摘要：

用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了非晶Si/SiO2超晶格.利用透射电子显微镜 (TEM) 和X射线衍射技术对其结构进行了分析,结果表明,超晶格中Si层大部分区域为非晶相,局域微区呈现有序结构,其厚度由1.8-3.2nm变化,SiO2层厚度为4.0nm.并采用多种光谱测量技术,如吸收光谱、光致发光光谱和Raman光谱技术,对该结构的光学性质进行了系统研究.结果表明,随纳米Si层厚度的减小,光学吸收边以及光致荧光峰发生明显蓝移,Raman峰发生展宽,即观测到明显的量子尺寸效应.

机标关键词：非晶相、超晶格、光谱研究、透射电子显微镜、量子尺寸效应、有序结构、层厚度、光谱测量技术、光学吸收边、衍射技术、系统研究、吸收光谱、溅射方法、光致、光学性质、光谱技术、发光光谱、玻璃基底、荧光峰、分区域

所属期刊栏目：49

分类号：O4(物理学)

资助基金：科技部攀登计划

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1019-1022