锡薄膜等温氧化研究

摘要：

采用电子束蒸发制备金属锡薄膜,将其在250-400℃温度范围内进行等温氧化,研究锡薄膜的热氧化动力学机制.采用台阶仪、扫描电子显微镜、俄歇电子能谱仪和X射线衍射仪等方法研究锡薄膜氧化过程中厚度、组分、结构等演变.实验结果表明,在250-400℃温度范围内,锡膜氧化后氧化层按抛物线规律生长;转变活化能为0.34eV;锡膜氧化受到氧扩散机制的控制.研究得到氧化层的生长首先从形成SnO相开始,随着氧化的深入,SnO相分解形成Sn3O4相,最后转变为SnO2相的热氧化机理.

机标关键词：薄膜、氧化层、温度范围、扫描电子显微镜、俄歇电子能谱仪、热氧化、转变活化能、射线衍射仪、抛物线规律、动力学机制、蒸发制备、氧化机理、氧化过程、扩散机制、方法研究、等温氧化、中厚度、台阶仪、金属锡、分解形

所属期刊栏目：49

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划863-410-3-9

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1015-1018