磷掺杂纳米硅薄膜的研制

摘要：

用PECVD薄膜沉积方法,成功地制备了磷掺杂纳米硅(nc-Si:H(P))薄膜.用扫描隧道电镜(STM)、Raman散射、傅里叶变换红外吸收(FTIR)谱、电子自旋共振(ESR)、共振核反应(RNR)技术对掺磷纳米硅进行了结构分析,确认了样品的微结构为纳米相结构.掺磷后膜中纳米晶粒的平均尺寸d减小,一般在2.5-4.5nm之间,且排列更加有序.掺磷nc-Si:H膜具有较高的光吸收系数,光学带隙在1.73-1.78eV之间,和本征nc-Si:H相同.掺杂nc-Si:H薄膜电导率在10-1-101Ω-1·cm-1之间,比本征nc-Si:H提高了二个数量级,室温暗电导最高已达50.5Ω-1·cm-1.同时电导激活能在0.01-0.03eV之间,比本征nc-Si:H进一步降低.

机标关键词：磷掺杂、纳米硅、电子自旋共振、掺磷、薄膜电导率、纳米相结构、光吸收系数、共振核反应、傅里叶变换、电导激活能、扫描隧道、平均尺寸、结构分析、红外吸收、光学带隙、沉积方法、微结构、暗电导、样品、室温

所属期刊栏目：49

分类号：O4(物理学)

资助基金：中国科学院资助项目19374009

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：983-988